F10N60 DONGHAI

Symbol Micros: TDHF10n60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 900 mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich zu: STP10NK60ZFP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: F10N60 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9194 0,6736 0,5412 0,4632 0,4372
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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