DI020N06D1

Symbol Micros: TDI020N06D1 DIOTEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R DI020N06D1-DIO;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: DI020N06D1 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4268 0,2345 0,1848 0,1712 0,1642
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Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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