DI020N06D1
Symbol Micros:
TDI020N06D1 DIOTEC
Gehäuse: TO252
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R DI020N06D1-DIO;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: DI020N06D1 RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4187 | 0,2301 | 0,1813 | 0,1680 | 0,1610 |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: DI020N06D1
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1691 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | DIOTEC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole