DI110N15PQ DComponents
Symbol Micros:
TDI110N15PQ
Gehäuse:
MOSFET, 150V, 110A, 56W transistors - fets, mosfets - single
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 110A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
| Gehäuse: | QFN5x6 |
| Hersteller: | DC COMPONENTS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 110A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
| Gehäuse: | QFN5x6 |
| Hersteller: | DC COMPONENTS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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