DMC3021LSD

Symbol Micros: TDMC3021LSD

Gehäuse: SOP08

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 32mOhm/53mOhm; 8,5A/7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMC3021LSD-13; DMC3021LSD-7;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	53mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMC3021LSD-13 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

888 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4374	0,2642	0,2039	0,1838	0,1749

Widerstand im offenen Kanal:	53mOhm
Max. Drainstrom:	8,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD