DMC3028LSD Diodes

Symbol Micros: TDMC3028LSD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 45mOhm/41mOhm; 7,1A/7,4A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMC3028LSD-13; DMC3028LSDX-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 7,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMC3028LSD RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4999 0,2769 0,2187 0,2063 0,1997
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 7,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD