DMC3028LSD Diodes

Symbol Micros: TDMC3028LSD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 45mOhm/41mOhm; 7,1A/7,4A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMC3028LSD-13; DMC3028LSDX-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 7,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMC3028LSD RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4589 0,2555 0,2008 0,1892 0,1833
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMC3028LSD-13 Gehäuse: SOIC08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1833
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 7,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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