DMC3400SDW-7

Symbol Micros: TDMC3400sdw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 700 mOhm/1,7 Ohm; 650mA/450mA; 390 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMC3400SDW-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 390mW
Max. Drainstrom: 650mA
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 390mW
Max. Drainstrom: 650mA
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD