LM1012T SOT523 LEIDITECH

Symbol Micros: TDMG1012T-7 LEI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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Transistor N-Kanal MOSFET; 20V; 6V; 1,25Ohm; 500mA; 150W; -55°C ~ 150°C; DMG1012T-7, RE1C002UNTCL;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: SOT523
Hersteller: Leiditech
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: SOT523
Hersteller: Leiditech
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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