DMG1012UW-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1012uw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 750 mOhm; 1A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 6V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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