DMG1012UW-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1012uw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 750 mOhm; 1A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1012UW-7 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
13050 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1619 0,0769 0,0433 0,0327 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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