DMG1012UW

Symbol Micros: TDMG1012UW TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
SOT323 MOSFETs ROHS
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 900mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 900mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD