DMG1013T-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1013T-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 1,3 Ohm; 460mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 270mW
Max. Drainstrom: 460mA
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1013T-7 RoHS PA1. Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1888 0,0896 0,0504 0,0383 0,0343
Standard-Verpackung:
420
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1013T-7 RoHS PA1. Gehäuse: SOT523 Datenblatt
Auf Lager:
1170 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1888 0,0896 0,0504 0,0383 0,0343
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 1,3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 270mW
Max. Drainstrom: 460mA
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD