DMG1024UV-7

Symbol Micros: TDMG1024UV-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT563
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 6V; 10 Ohm; 1,38A; 530 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 1,38A
Maximaler Leistungsverlust: 530mW
Gehäuse: SOT563
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 1,38A
Maximaler Leistungsverlust: 530mW
Gehäuse: SOT563
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 6V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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