DMG1026UV-7

Symbol Micros: TDMG1026UV-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT563
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Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 440mA
Maximaler Leistungsverlust: 580mW
Gehäuse: SOT563
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7 RoHS Gehäuse: SOT563 Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2889 0,1593 0,1057 0,0883 0,0822
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7 Gehäuse: SOT563  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0826
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7 Gehäuse: SOT563  
Externes Lager:
309000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0822
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 440mA
Maximaler Leistungsverlust: 580mW
Gehäuse: SOT563
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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