DMG1026UV-7
Symbol Micros:
TDMG1026UV-7 Diodes
Gehäuse: SOT563
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,1Ohm; 440mA; 580mW; -55°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 440mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 580mW |
| Gehäuse: | SOT563 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7 RoHS
Gehäuse: SOT563
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2888 | 0,1592 | 0,1056 | 0,0883 | 0,0822 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7
Gehäuse: SOT563
Externes Lager:
29000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0822 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7
Gehäuse: SOT563
Externes Lager:
309000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0822 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG1026UV-7
Gehäuse: SOT563
Externes Lager:
57000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0835 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 440mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 580mW |
| Gehäuse: | SOT563 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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