DMG2301L-7

Symbol Micros: TDMG2301L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 3A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG2301L-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2301L-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
23700 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2432 0,1235 0,0749 0,0593 0,0541
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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