DMG2301LK-7

Symbol Micros: TDMG2301LK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 298 mOhm; 2,4A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG2301LK-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 298mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2301LK-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 400+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3100 0,1710 0,1127 0,0954 0,0888
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Standard-Verpackung:
1500
Widerstand im offenen Kanal: 298mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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