DMG2302UK Diodes

Symbol Micros: TDMG2302uk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 2,8A; 660 mW; -55 °C ~ 150 °C; DMG2302UK-7; DMG2302UK-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 660mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2302UK-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2387 0,1203 0,0725 0,0573 0,0529
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 660mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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