DMG2302UK Diodes
Symbol Micros:
TDMG2302uk
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 2,8A; 660 mW; -55 °C ~ 150 °C; DMG2302UK-7; DMG2302UK-13;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 660mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 660mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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