DMG2305UX

Symbol Micros: TDMG2305ux
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 200 mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG2305UX-7; DMG2305UX-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG2305UX-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3330 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2137 0,1014 0,0572 0,0433 0,0388
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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