DMG3414U Diodes

Symbol Micros: TDMG3414u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 37mOhm; 4,2A; 780 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG3414U-7;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 780mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG3414U RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3064 0,1694 0,1120 0,0933 0,0877
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 780mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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