DMG3415U Diodes

Symbol Micros: TDMG3415u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 71mOhm; 4A; 900 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG3415U-7;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 71mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG3415U-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2750 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2493 0,1260 0,0764 0,0605 0,0552
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 71mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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