DMG3415U Diodes
Symbol Micros:
TDMG3415u
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 71mOhm; 4A; 900 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMG3415U-7;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 71mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 900mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG3415U-7 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2750 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2526 | 0,1277 | 0,0774 | 0,0613 | 0,0559 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG3415U-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0646 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMG3415U-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0561 |
Widerstand im offenen Kanal: | 71mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 900mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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