DMG6602SVTQ-7

Symbol Micros: TDMG6602SVTQ-7 Diodes

Gehäuse: TSOT23-6

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100/140 mOhm; 3,4/2,8A; 840 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	3,4A
Maximaler Leistungsverlust:	840mW
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6602SVTQ-7 Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0666

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6602SVTQ-7 Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0623

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMG6602SVTQ-7 Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0635

Widerstand im offenen Kanal:	140mOhm
Max. Drainstrom:	3,4A
Maximaler Leistungsverlust:	840mW
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD