DMHT6016LFJ-13

Symbol Micros: TDMHT6016LFJ-13
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VDFN12
Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 12-Pin VDFN EP T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 10,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,16W
Gehäuse: VDFN12
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 10,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,16W
Gehäuse: VDFN12
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD