DMHT6016LFJ-13
Symbol Micros:
TDMHT6016LFJ-13
Gehäuse: VDFN12
Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 12-Pin VDFN EP T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,16W |
| Gehäuse: | VDFN12 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,16W |
| Gehäuse: | VDFN12 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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