DMMT3906W
Symbol Micros:
TDMMT3906w
Gehäuse: SOT363
2xPNP 200mA 40V 200mW 250MHz 100<hFE<300 2xPNP 200mA 40V 200mW 250MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: | 200mW |
Hersteller: | DIODES |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMMT3906W-7-F K4B.
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 150+ | 710+ | 3550+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2249 | 0,0976 | 0,0640 | 0,0535 | 0,0500 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMMT3906W-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0641 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMMT3906W-7-F
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
78000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0526 |
Verlustleistung: | 200mW |
Hersteller: | DIODES |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SOT363 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xPNP |
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