DMMT3906W

Symbol Micros: TDMMT3906w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xPNP 200mA 40V 200mW 250MHz 100<hFE<300 2xPNP 200mA 40V 200mW 250MHz 100<hFE<300
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMMT3906W-7-F K4B. Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 710+ 3550+
Nettopreis (EUR) 0,2035 0,0883 0,0580 0,0485 0,0452
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Standard-Verpackung:
710
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

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