DMMT5401-7-F
Symbol Micros:
TDMMT5401-7-F Diodes
Gehäuse: SOT26
Transistor GP BJT PNP 150V 0.2A 300mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R Transistor GP BJT PNP 150V 0.2A 300mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Gehäuse: | SOT26 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | DIODES |
| Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
| Gehäuse: | SOT26 |
| Grenzfrequenz: | 300MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 150V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xPNP |
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