DMN2004DWK-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN2004dwk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 900 mOhm; 540mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 540mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2004DWK-7-R RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2434 0,1346 0,0892 0,0742 0,0697
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 540mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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