DMN2004K-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2004k
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 900 mOhm; 630mA; 350 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 630mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7 Pbf NAB
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1549 | 0,0732 | 0,0411 | 0,0310 | 0,0282 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
147000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0505 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2004K-7
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0555 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 630mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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