DMN2004K-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2004k
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 900 mOhm; 630mA; 350 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
Max. Drainstrom: | 630mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
Max. Drainstrom: | 630mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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