DMN2020LSN-7

Symbol Micros: TDMN2020LSN-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A Automotive
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 610mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2020LSN-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0751
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 610mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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