DMN2020LSN-7
Symbol Micros:
TDMN2020LSN-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A Automotive
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 610mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 610mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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