DMN2056U-7

Symbol Micros: TDMN2056U-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: DMN2056U-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 660mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2056U-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2224 0,1230 0,0817 0,0683 0,0635
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 660mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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