DMN2056U-7
Symbol Micros:
TDMN2056U-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: DMN2056U-13;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 660mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2056U-7 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2318 | 0,1282 | 0,0852 | 0,0712 | 0,0662 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2056U-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
171000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0662 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2056U-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0662 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 660mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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