DMN2056U-7
Symbol Micros:
TDMN2056U-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: DMN2056U-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 660mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 660mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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