DMN2058U-7
Symbol Micros:
TDMN2058U-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: DMN2058U-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 740mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2058U-7 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2409 | 0,1322 | 0,0866 | 0,0749 | 0,0690 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2058U-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0690 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2058U-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0690 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN2058U-13
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0690 |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 740mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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