DMN2058U-7

Symbol Micros: TDMN2058U-7 Diodes
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 740 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: DMN2058U-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 740mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2058U-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2410 0,1322 0,0866 0,0749 0,0690
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 740mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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