DMN2058UW-7

Symbol Micros: TDMN2058UW-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 91mOhm; 3,5A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; DMN2058UW-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 91mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN2058UW-7 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1410 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2202 0,1116 0,0676 0,0536 0,0489
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 91mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole