DMN2991UDJ-7A Diodes Incorporated

Symbol Micros: TDMN2991UDJ-7A
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT963-6
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MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT963 T&R Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 520mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT963
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 520mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT963
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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