DMN3023L-7

Symbol Micros: TDMN3023L-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor MOSFET N-CH 30V 6.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN3023L-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0770
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 900mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole