DMN33D8LT

Symbol Micros: TDMN33d8lt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT523
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N-MOSFET 0.115A 30V 0.3W 5Ω DMN33D8LT-13, DMN33D8LT-7
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN33D8LT-13 Gehäuse: SOT523  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0301
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT523
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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