DMN5L06DWK-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN5l06dwk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2N-MOSFET 50V 305mA 2Ω 250mW
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 305mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 305mA
Maximaler Leistungsverlust: 250mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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