DMN5L06K-7 Diodes Inc

Symbol Micros: TDMN5l06k-7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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