DMN601DWK

Symbol Micros: TDMN601DWK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
2xN-MOSFET 305mA 60V 200mW 2Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 305mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-5
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 305mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-5
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD