DMN6068LK3-13 TO-252-3

Symbol Micros: TDMN6068lk3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET 60V 8.5A 2.12W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,12W
Gehäuse: TO252
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,12W
Gehäuse: TO252
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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