DMN6068LK3-13 TO-252-3

Symbol Micros: TDMN6068lk3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 60V 8.5A 2.12W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,12W
Gehäuse: TO252
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068LK3-13 Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1473
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,12W
Gehäuse: TO252
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole