DMN6068LK3-13 TO-252-3
Symbol Micros:
TDMN6068lk3
Gehäuse: TO252
N-MOSFET 60V 8.5A 2.12W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
Max. Drainstrom: | 8,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,12W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: DMN6068LK3-13
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1546 |
Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
Max. Drainstrom: | 8,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,12W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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