DMN6068SE-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN6068se
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 5,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3966 0,2199 0,1737 0,1577 0,1525
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3966 0,2199 0,1737 0,1577 0,1525
Standard-Verpackung:
488
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
76000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1679
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
34022 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1525
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD