DMN6068SE-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN6068se

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 5,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Max. Drainstrom:	5,6A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

3948 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3672	0,2022	0,1591	0,1474	0,1412

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Max. Drainstrom:	5,6A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD