DMN6068SE-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN6068se
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 5,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3955 0,2193 0,1732 0,1573 0,1521
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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