DMN6068SE-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN6068se

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 5,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

3948 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3654	0,2012	0,1583	0,1466	0,1405

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6068SE-13 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

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0 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3654	0,2012	0,1583	0,1466	0,1405

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	5,6A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD