DMN6069SE-13

Symbol Micros: TDMN6069SE-13
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6069SE-13 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1304
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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