DMN6069SE-13

Symbol Micros: TDMN6069SE-13
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2,2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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