DMN6070SSD-13

Symbol Micros: TDMN6070SSD-13 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3,3A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Diodes Incorporated
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN6070SSD-13 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4989 0,3030 0,2324 0,2100 0,1998
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Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Diodes Incorporated
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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