DMN6140L-7

Symbol Micros: TDMN6140L-7 Diodes
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Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive N-MOSFET 1.6A 60V 0.7W 0.17Ω DMN6140L-7 (3000pcs/T&R), DMN6140L-13 (10000pcs/T&R)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: S-PAK/7
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: S-PAK/7
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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