DMN62D0U-7

Symbol Micros: TDMN62d0u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 0.38A 60V 0.38W 2Ω DMN62D0U-13
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 380mA
Maximaler Leistungsverlust: 380mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 380mA
Maximaler Leistungsverlust: 380mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD