DMN62D0U-7

Symbol Micros: TDMN62d0u
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET 0.38A 60V 0.38W 2Ω DMN62D0U-13
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 380mA
Maximaler Leistungsverlust: 380mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN62D0U-7 RoHS 3D2 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2580 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1649 0,0782 0,0440 0,0335 0,0300
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 380mA
Maximaler Leistungsverlust: 380mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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