DMN67D8L-7

Symbol Micros: TDMN67D8L-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 30V; 7,5Ohm; 230mA; 340mW; -55°C ~ 150°C; DMN67D8L-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 340mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN67D8L-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2750 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1226 0,0562 0,0307 0,0230 0,0204
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 340mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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