DMN67D8LDW-7

Symbol Micros: TDMN67D8LDW-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 230mA 6-Pin SOT-363;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 320mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN67D8LDW-7 Gehäuse: SOT363  
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Nettopreis (EUR) 0,0424
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 320mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD