DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated

Symbol Micros: TDMP2008UFG-7 Diodes

Gehäuse: POWERDI-8 (PowerDI3333-8)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 17mOhm; 14A; 2,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: DMP2008UFG-13;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	2,4W
Gehäuse:	POWERDI-8 (PowerDI3333-8)
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	17mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	2,4W
Gehäuse:	POWERDI-8 (PowerDI3333-8)
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD