DMP3017SFGQ-7

Symbol Micros: TDMP3017SFGQ-7 Diodes

Gehäuse: PowerDI3333-8

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Mosfet, P-Ch, 30V, 11.5A, Powerdi 3333

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	11,5A
Maximaler Leistungsverlust:	0,94W
Gehäuse:	PowerDI3333-8
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Widerstand im offenen Kanal:	18mOhm
Max. Drainstrom:	11,5A
Maximaler Leistungsverlust:	0,94W
Gehäuse:	PowerDI3333-8
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD