DMP3056LSD-13 Diodes

Symbol Micros: TDMP3056lsd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 6,9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD