GT090N06S

Symbol Micros: TDMT4008LSS-13 GO

Gehäuse: SOP08

MOSFET-Transistor; SOP-8; N-Channel; NO ESD; 60V; 14A; 3.1W; 1.6V; 12,5mOhm DMT4008LSS-13; AO4484; G13N04 GOFORD

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD