DMZ6012E ARK MICRO
Symbol Micros:
TDMZ6012e
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 150Ohm; 40mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich zu: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150Ohm |
| Max. Drainstrom: | 40mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ARK MICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 150Ohm |
| Max. Drainstrom: | 40mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ARK MICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole