DN2530N8-G Microchip

Symbol Micros: TDN2530n8-g
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N-MOSFET 300V 200mA 12Ω 1.6W
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 12Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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