DN3525N8-G

Symbol Micros: TDN3525n8-g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor N-Kanal MOSFET; 250V; 20V; 6Ohm; 360mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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