DN3535N8-G Microchip

Symbol Micros: TDN3535n8-g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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N-MOSFET 350V 230mA 1.6W 10Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 350V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: DN3535N8-G Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2608
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 350V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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