DN3535N8-G Microchip

Symbol Micros: TDN3535n8-g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
N-MOSFET 350V 230mA 1.6W 10Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 350V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: DN3535N8-G Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
38000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7149
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 350V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD