DN3535N8-G Microchip
Symbol Micros:
TDN3535n8-g
Gehäuse: SOT89
N-MOSFET 350V 230mA 1.6W 10Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Hersteller: | Supertex |
| Max. Drain-Source Spannung: | 350V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
| Gehäuse: | SOT89 |
| Hersteller: | Supertex |
| Max. Drain-Source Spannung: | 350V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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